IXFK26N90 时间：2025/12/29 13:31:09 阅读：26

IXFK26N90是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司制造。该器件专为高电压和高电流应用设计，适用于工业控制、电源转换、电机驱动以及各类高功率电子系统。IXFK26N90采用了先进的技术，以提供高效的功率传输和稳定的性能。其主要特点是具有高击穿电压、低导通电阻和良好的热性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　连续漏极电流（Id）：26A（在Tc=100℃时）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大0.24Ω（在Vgs=10V时）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.1V至4.0V（在Id=1mA时）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-247AC
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：900V
　　栅极电荷（Qg）：83nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1650pF（典型值）

特性

IXFK26N90具有多项显著的技术特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其900V的漏源电压能力使其能够适用于高压系统，例如高压电源和逆变器。其次，该MOSFET的导通电阻较低，仅为0.24Ω，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。此外，IXFK26N90具备较高的连续漏极电流容量，最大可达26A，因此适用于需要大电流的负载控制。
　　该器件的栅极阈值电压范围为2.1V至4.0V，确保在各种驱动条件下都能可靠工作。同时，其栅极电荷较低，有助于提高开关速度，减少开关损耗。输入电容为1650pF，这在高频开关应用中尤为重要，因为它影响着器件的响应速度和动态性能。
　　IXFK26N90采用TO-247AC封装，具有良好的散热性能，能够有效管理高功率操作时的热量积累。这种封装形式也便于安装和集成到PCB电路中。工作温度范围从-55℃到+150℃，表明该器件可以在极端环境条件下稳定运行。
　　由于其优异的电气特性和热管理能力，IXFK26N90非常适合用于要求高可靠性和高性能的工业和电力电子系统。

应用

IXFK26N90广泛应用于多种高功率电子设备和系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器以及工业自动化控制系统。此外，该MOSFET还可用于高压LED照明系统、电池管理系统（BMS）以及各类电源管理电路。由于其高耐压和低导通电阻的特性，IXFK26N90在太阳能逆变器和电动汽车充电系统中也得到了广泛应用。