IXFK26N100P 时间：2023/11/29 17:23:23 阅读：160

类别：分离式半导体产品

概述

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：Polar?
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：390 毫欧 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：1000V (1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：26A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：6.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：197nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：11900pF @ 25V
功率 - 最大：780W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-264
包装：管件

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IXFK26N100P参数

标准包装25
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列Polar™ HiPerFET™
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)1000V（1kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C26A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C390 毫欧 @ 13A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）6.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs197nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds11900pF @ 25V
功率 - 最大780W
安装类型通孔
封装/外壳TO-264-3，TO-264AA
供应商设备封装TO-264
包装管件

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