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IXFK240N25X3 发布时间 时间:2025/8/5 23:33:39 查看 阅读:32

IXFK240N25X3是一款由Littelfuse公司生产的250V、240A的雪崩场效应晶体管(MOSFET),专为高功率开关应用设计。这款MOSFET采用先进的沟槽技术,确保了在高电流负载下的高效能表现。IXFK240N25X3适用于需要高可靠性和高耐压能力的工业控制、电源转换和电机驱动等应用。

参数

类型:MOSFET(N沟道)
  漏极电流(ID):240A
  漏源电压(VDS):250V
  栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为13.5mΩ
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装类型:TO-264
  功率耗散(PD):400W

特性

IXFK240N25X3具备出色的导通和开关性能,其低导通电阻确保了在高电流条件下的低功耗表现,减少了发热,提高了系统的整体效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构,提供了更高的电流密度和更低的寄生电容,从而实现了更快的开关速度和更低的开关损耗。
  此外,IXFK240N25X3具备优异的雪崩击穿能力,能够在高电压应力条件下保持稳定工作,提高了器件在恶劣工作环境下的可靠性。其TO-264封装形式具备良好的热管理和机械强度,适用于大功率应用场景。
  该MOSFET还具有良好的抗短路能力,能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。其栅极驱动电路简单,适合与多种驱动IC配合使用,广泛应用于DC-DC转换器、逆变器、电机控制和工业自动化系统中。

应用

IXFK240N25X3广泛应用于需要高功率密度和高可靠性的电子系统中,如工业电源、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动车辆充电系统、电机驱动器和自动化控制设备。其优异的导通性能和耐压能力使其在高频率开关电源设计中表现出色,同时适用于需要快速开关响应的PWM控制电路。

替代型号

IXFH240N25X3, IXFN240N25X3, IRFP4668

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IXFK240N25X3参数

  • 现有数量452现货
  • 价格1 : ¥273.48000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X3
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)250 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)240A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5 毫欧 @ 120A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 8mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)345 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)23800 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1250W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-264
  • 封装/外壳TO-264-3,TO-264AA