时间：2025/8/6 8:42:21
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IXFK21N100F 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）制造的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电压、高频率和高效率应用设计，适用于各种工业和消费类电子产品，如开关电源（SMPS）、逆变器、电机控制和照明系统。IXFK21N100F 采用先进的 HEXFET? 技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和出色的热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：21A
最大漏源电压（VDS）：1000V
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω（最大）
最大功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247
IXFK21N100F 具备多项优异特性，首先其采用先进的 HEXFET? 技术，提供极低的导通电阻（RDS(on)）和更高的效率，减少了导通损耗，提高了系统的整体能效。其次，该 MOSFET 具有出色的热管理性能，能够在高负载和高温环境下稳定运行，延长设备的使用寿命。
此外，IXFK21N100F 的 TO-247 封装形式提供了良好的散热能力，适用于高功率密度设计。其高耐压能力（1000V VDS）使其适用于高电压应用，如工业电源、太阳能逆变器和电机驱动系统。
该器件还具备良好的抗雪崩能力和短路保护性能，增强了系统的可靠性和安全性。其栅极驱动电压范围宽（通常为 10V 至 20V），适用于各种驱动电路设计。
IXFK21N100F 主要用于高电压、高频率和高效率的功率电子系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机控制和照明镇流器等。其优异的导通性能和热管理能力使其成为高功率密度设计的理想选择。此外，IXFK21N100F 还适用于各种工业自动化设备、电动汽车充电系统和家电控制模块。
IXFP21N100F, FGL21N100FTU, FQA20N100
