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IXFK210N30X3 发布时间 时间:2025/8/6 2:52:30 查看 阅读:35

IXFK210N30X3 是一款由 Littelfuse(原 International Rectifier)推出的高功率 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率、高频率的功率转换应用设计。该器件采用了先进的沟槽式技术(Trench Technology)和先进的封装技术,能够在高电压和高电流条件下稳定工作。IXFK210N30X3 适用于工业电源、电动车辆、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及各种高功率开关电源系统。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(VDS):300V
  漏极电流(ID):210A(在 Tc=25°C 时)
  导通电阻(RDS(on)):最大 17.5mΩ(在 VGS=10V 时)
  栅极电压(VGS):最大 ±20V
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-264(三端子封装)
  功率耗散(PD):650W
  技术:沟槽式 MOSFET

特性

IXFK210N30X3 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,使得其在高电压和高电流应用中表现出优异的导通性能和开关性能。其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具备较高的热稳定性和较低的热阻,使其在高功率密度设计中具有良好的热管理能力。
  该 MOSFET 的封装形式为 TO-264,具有良好的散热性能和机械强度,适用于高功率环境下的长期稳定运行。其栅极驱动电压范围宽(±20V),兼容多种驱动电路设计。此外,该器件具有较高的短路耐受能力和过载能力,适合在严苛的工业环境中使用。
  IXFK210N30X3 还具有快速开关特性,降低了开关损耗,使其适用于高频开关应用。其低反向恢复电荷(Qrr)和低栅极电荷(Qg)进一步提高了系统的能效和响应速度。

应用

IXFK210N30X3 广泛应用于高功率开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机控制、电动车辆(EV)充电系统、光伏逆变器、不间断电源(UPS)、工业自动化设备以及各种高功率电子系统中。由于其优异的导通和开关性能,该器件特别适合需要高效能和高可靠性的电源管理应用。

替代型号

IXFK210N30P, IXFH210N30X3, IXFK240N30X3

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IXFK210N30X3参数

  • 现有数量25现货
  • 价格1 : ¥273.48000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X3
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)300 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)210A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.5 毫欧 @ 105A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 8mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)375 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)24200 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1250W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-264
  • 封装/外壳TO-264-3,TO-264AA