IXFK1963 时间：2025/8/6 6:12:19 阅读：20

IXFK1963是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET，专为高功率、高频应用设计。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻和高开关性能。IXFK1963常用于电源转换器、电机控制、逆变器、不间断电源（UPS）以及各种工业和消费类电子设备中的功率管理电路。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　漏极电流（Id）：19A（连续）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.37Ω（最大）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-247
　　技术：Trench MOSFET

特性

IXFK1963具备多项卓越特性，适用于多种功率电子应用。其600V的漏源电压使其适用于高压电源转换器和工业控制电路。19A的连续漏极电流能力确保该MOSFET能够在高负载条件下稳定运行。
　　该器件的低导通电阻（Rds(on)）最大为0.37Ω，有效降低了导通损耗，提高了能效。此外，IXFK1963具有较高的栅极电压容限（±20V），有助于提高电路的稳定性和抗干扰能力。
　　作为一款Trench MOSFET，IXFK1963在开关性能方面表现出色，具备较低的开关损耗，适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器、AC-DC电源供应器和PWM控制电路。其高功率耗散能力（200W）和宽工作温度范围（-55°C至175°C）使其在高温环境下依然能保持良好的性能和可靠性。
　　IXFK1963采用TO-247封装，具备良好的散热性能，适用于需要高功率密度和紧凑布局的设计。

应用

IXFK1963广泛应用于多种功率电子系统，包括但不限于以下领域：
　　1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器和高效能开关电源（SMPS），其低导通电阻和高频开关特性有助于提高转换效率。
　　2. 逆变器和UPS系统：在不间断电源和逆变器系统中，IXFK1963可用于高频开关电路，实现电能的高效转换与调节。
　　3. 电机控制：在电机驱动和变频控制系统中，该MOSFET可用于PWM控制电路，实现精确的速度和扭矩控制。
　　4. 工业自动化设备：如PLC、伺服驱动器和工业电源模块，其高耐压和高电流能力适合工业环境的严苛要求。
　　5. LED照明和智能照明系统：用于恒流驱动电路，提供稳定可靠的功率输出。
　　6. 新能源应用：如太阳能逆变器和储能系统，用于能量转换和功率调节。