类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：185A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 7.5mΩ（在 VGS=10V 时）
　　功率耗散（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

IXFK185N10 具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现卓越。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率，从而适用于高电流负载场景。其次，该器件采用了先进的沟道技术和优化的封装设计，使其具备优异的热性能和高可靠性。此外，IXFK185N10 支持高频开关操作，适合用于需要快速切换的功率转换设备，例如开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。其 ±20V 的栅源电压范围提供了较高的驱动灵活性，同时具备良好的抗干扰能力。最后，器件的封装设计确保了优良的散热性能，使其能够在恶劣环境下稳定运行。
　　从电气性能来看，IXFK185N10 在 100V 漏源电压下可承载高达 185A 的漏极电流，非常适合用于高功率密度设计。其低栅极电荷（Qg）进一步降低了开关损耗，提升了系统能效。另外，该器件的短路耐受能力较强，为工业设备提供了额外的安全保障。这些特性共同确保了 IXFK185N10 在各种高功率应用中具备稳定可靠的性能表现。

IXFK185N10 被广泛应用于各种高功率电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、工业自动化设备、电池管理系统（BMS）以及 UPS（不间断电源）等。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为需要高效能和高可靠性的电源管理解决方案的理想选择。此外，该器件也适用于汽车电子系统，如电动车辆的电机控制和电池管理模块。

IRFP2907、SiHF185N10、STP185N10F7