类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：14A
　　最大漏-源电压：1000V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.85Ω（最大）
　　栅极阈值电压：2.1V至4V
　　最大栅极电压：±20V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247

IXFK14N100Q具有多项显著的技术特性，首先，其高耐压能力（1000V漏-源电压）使其能够适应高压功率转换器和电源设备的需求，同时保证了系统的稳定性和可靠性。其次，较低的导通电阻（RDS(on)最大为0.85Ω）能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，该器件的栅极阈值电压在2.1V至4V之间，适合与常见的栅极驱动电路配合使用，同时±20V的最大栅极电压设计增强了器件的抗干扰能力，降低了误触发的风险。TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还能在高功率应用中确保稳定的工作状态。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，适用于高频开关电源和DC-DC转换器，从而减少能量损耗和热量生成。其设计还考虑了热稳定性，能够在高温环境下保持良好性能。

IXFK14N100Q广泛应用于多种电力电子系统中，例如开关电源（SMPS）、逆变器、DC-DC转换器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高耐压能力和低导通电阻，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的场合，如太阳能逆变器、电机驱动系统和电能质量调节装置。
　　在消费电子领域，该MOSFET也常用于电源适配器和LED照明驱动电路中，以实现高效的电能转换。同时，其优良的热管理和高频开关性能使其成为电动汽车充电系统和储能系统中不可或缺的元件。

IRF840, STP14N100, FCP14N100