时间：2025/12/24 16:19:05
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IXFK140N20P是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率开关电源、逆变器和电机控制等场合。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。IXFK140N20P采用TO-264封装形式，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：140A
导通电阻(Rds(on))：最大值为6.2mΩ
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-264
IXFK140N20P具有多项优良特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可降低导通损耗，提高系统效率，同时减少散热需求，有助于设计更紧凑的功率模块。其次，该器件支持高达140A的连续漏极电流，适用于高电流负载应用，如电动工具、逆变器和不间断电源（UPS）。
此外，IXFK140N20P的最大漏源电压为200V，能够在高压环境中稳定工作，适用于多种工业和汽车电子系统。其栅极驱动电压范围宽广，支持±20V，增强了与不同驱动电路的兼容性。
在热性能方面，TO-264封装提供了良好的散热能力，确保器件在高负载条件下仍能保持较低的工作温度，从而提高系统的稳定性和寿命。同时，该器件具备较高的短路耐受能力，可在异常工况下提供一定程度的保护，防止器件损坏。
IXFK140N20P适用于多种高功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）和工业自动化控制系统。其高电流能力和低导通电阻也使其成为电动车辆、储能系统和太阳能逆变器中的理想选择。
IXFK140N20PT, IXFN140N20P, IXFK140N20T
