IXFK120N10 时间：2025/8/5 20:06:21 阅读：18

IXFK120N10 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换系统设计。这款晶体管具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能，适用于需要高功率密度和高效能的应用场合。其设计优化了开关损耗和导通损耗，使其成为工业电源、DC-DC 转换器、电池充电器、电机控制等应用的理想选择。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：120A（在 25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 7.5mΩ（在 Vgs = 10V）
　　最大功耗（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-263（表面贴装）或 TO-247（通孔）
　　栅极电荷（Qg）：约 98nC（在 Vgs = 10V）
　　漏源击穿电压（BVDSS）：100V
　　输入电容（Ciss）：约 3400pF
　　输出电容（Coss）：约 580pF
　　反馈电容（Crss）：约 150pF

特性

IXFK120N10 的主要特性之一是其极低的导通电阻，仅为 7.5mΩ。这种低 Rds(on) 使得该 MOSFET 在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。此外，该器件能够承受高达 120A 的连续漏极电流，非常适合高功率应用。
　　该 MOSFET 的封装设计（如 TO-263 和 TO-247）提供了良好的热管理能力，确保在高功率工作条件下仍能维持稳定的性能。其额定工作温度范围广泛，从 -55°C 到 175°C，使其适用于各种恶劣环境条件。
　　另一个关键特性是其出色的开关性能。IXFK120N10 的栅极电荷较低，约为 98nC，有助于减少开关过程中的能量损耗，从而提高转换效率。此外，输入、输出和反馈电容的数值也经过优化，以确保快速的开关速度和稳定的电路性能。
　　该器件的耐用性和可靠性也值得一提。IXFK120N10 设计用于工业级应用，具有高抗冲击能力和良好的长期稳定性，能够在高应力条件下保持正常运行。

应用

IXFK120N10 主要应用于需要高功率密度和高效能的电子系统中。例如，在工业电源和 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可用于实现高效的电压转换和电流调节。在电池充电器中，它可用于控制和调节充电电流，以确保安全和高效的充电过程。
　　此外，IXFK120N10 也广泛用于电机控制和驱动系统中，特别是在需要高电流和高频率开关的场合。它可以作为主开关元件，控制电机的启停和速度调节。在 UPS（不间断电源）和太阳能逆变器中，该 MOSFET 也常用于功率转换和逆变环节，以提高系统的整体效率。
　　由于其高可靠性和宽温度范围，IXFK120N10 还可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和电池管理系统。