类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：75 V
　　最大漏极电流 Id：105 A（在 25°C 下）
　　导通电阻 Rds(on)：约 2.8 mΩ（典型值，具体取决于 Vgs）
　　栅极电压 Vgs：±20 V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-263（D2-PAK）

IXFK105N07 MOSFET 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得器件在高电流工作时能保持较低的导通损耗，提高整体系统的效率。
　　该器件支持高达 105 A 的连续漏极电流，适用于高功率密度的设计，同时具备良好的热稳定性，适合在高负载环境下运行。
　　其 75 V 的漏源击穿电压为设计者提供了较高的安全裕量，适用于多种中低压功率转换拓扑结构，如同步整流、Buck 和 Boost 转换器等。
　　该 MOSFET 支持快速开关操作，具有较低的输入和输出电容（Ciss 和 Coss），以及较低的反向传输电容（Crss），有助于减少开关过程中的能量损失和电磁干扰（EMI）问题。
　　该器件采用 TO-263 封装，具备良好的散热性能，能够有效地将热量传导至 PCB 或散热器上，从而提高长期工作的可靠性。
　　此外，IXFK105N07 具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下提供一定程度的保护，增强系统在异常工作条件下的鲁棒性。

IXFK105N07 被广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中，包括但不限于：
　　工业电源系统，如不间断电源（UPS）和工业自动化控制模块；
　　汽车电子应用，如电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的 DC-DC 转换器和车载充电系统；
　　通信电源设备，如基站电源和数据中心服务器的电源模块；
　　消费类电子产品中的高功率转换器，例如高性能笔记本电脑和台式机的电源适配器；
　　电机控制和变频器系统，用于家电和工业电机驱动；
　　太阳能逆变器和储能系统中的功率转换环节，提高能源转换效率并降低热量产生。

IRF1010E, IXFN105N07T, SiR100DP, STP105N7F7