时间：2025/7/9 11:56:22
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IXFH90N20X3是来自IXYS公司的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用Trench技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能功率转换应用。其封装形式为TO-247，能够提供出色的散热性能，适合工业、汽车以及消费类电子中的大功率应用。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：90A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷：65nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-247
IXFH90N20X3的主要特点是其极低的导通电阻和高电流处理能力，这使得它非常适合于需要高效率和低损耗的应用场景。此外，它的快速开关能力和稳健的雪崩击穿特性使其在恶劣的工作条件下依然保持可靠性能。
该器件采用了先进的Trench MOSFET结构，这种结构显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提升了整体效率。同时，其较高的漏源电压允许其在高压环境下运行，而不会出现击穿或损坏的情况。
另外，IXFH90N20X3具备较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗，并且可以与各类驱动器兼容，便于系统设计。总体而言，这款MOSFET是一款兼具高性能和高可靠性的功率半导体器件。
IXFH90N20X3广泛应用于各种功率转换和电机驱动领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）
2. 逆变器
3. 电动车辆中的电机控制器
4. 工业自动化设备中的功率模块
5. 太阳能逆变器
6. 不间断电源（UPS）系统
7. LED驱动器等需要高效功率管理的场合。
IXFN90N20X3, IXTH90N20L2, IRFP260N
