IXFH90N20Q 是一款由IXYS公司制造的高功率N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电流和高频率的电源应用。该器件采用了先进的平面DMOS技术,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。其TO-247封装设计确保了良好的散热性能,适用于需要高效率和高可靠性的应用环境。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):200V
最大漏极电流(Id):90A
导通电阻(Rds(on)):约22mΩ(典型值)
栅极电荷(Qg):约250nC
最大功耗(Pd):300W
工作温度范围:-55°C至175°C
IXFH90N20Q具有多项卓越的电气和热性能特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。其次,该器件的高电流容量(90A)允许其在高负载条件下稳定工作,适用于大功率电源转换器和电机驱动器。此外,该MOSFET具备优异的开关性能,栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,提高整体系统的能效。
该器件的封装设计采用TO-247封装,具备良好的散热能力,能够有效降低工作温度,提高器件的长期可靠性。此外,IXFH90N20Q具有宽广的工作温度范围(-55°C至175°C),使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行,适用于工业自动化、电源供应、UPS系统、焊接设备和电动车辆等多种应用场合。
该MOSFET还具备良好的短路耐受能力和过热保护特性,能够在极端条件下保持稳定工作,防止因过载或故障导致的损坏。其设计符合RoHS环保标准,适用于现代绿色电子设备的设计和制造。
IXFH90N20Q广泛应用于需要高效、高功率密度的电子系统中。常见的应用包括:工业电源、开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)、电机控制和驱动电路、焊接设备、逆变器以及电动车辆的功率管理系统等。由于其优异的热稳定性和高电流处理能力,它也常用于高功率音频放大器和功率因数校正(PFC)电路中。
IXFH90N20T, IXFN90N20Q, IRFP4668, IXFH86N20Q