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IXFH80N65X2 发布时间 时间:2025/7/16 12:52:42 查看 阅读:31

IXFH80N65X2 是一款由英飞凌(Infineon)推出的 N 河道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的沟槽技术制造,具有较低的导通电阻和高开关性能,适用于多种功率转换应用。IXFH80N65X2 的额定电压为 650V,持续漏极电流为 80A,封装形式为 TO-247。
  这款 MOSFET 主要用于工业和汽车领域的高效能功率转换场景,例如电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及 DC-DC 转换器等。

参数

最大漏源电压:650V
  最大连续漏极电流:80A
  导通电阻(Rds(on)):110mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:130nC(典型值)
  反向恢复时间:70ns(典型值)
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-247

特性

IXFH80N65X2 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够有效减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关性能,支持高频操作,降低开关损耗。
  3. 强大的雪崩能力,增强了器件在过压条件下的耐用性。
  4. 较小的栅极电荷 Qg 和输出电荷 Qoss,使得驱动功耗更低。
  5. 宽温度范围适应能力,能够在极端环境下可靠运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业规范要求。

应用

IXFH80N65X2 广泛应用于需要高效功率转换和高可靠性的领域,包括但不限于以下场景:
  1. 工业设备中的电机驱动和伺服控制。
  2. 太阳能光伏逆变器的核心功率模块。
  3. 不间断电源(UPS)和应急备用电源系统。
  4. 电动车及混合动力车中的 DC-DC 转换器。
  5. 高效开关电源(SMPS)设计。
  6. 焊接设备和感应加热装置。

替代型号

IXFK80N65T2, IXFN80N65T2

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IXFH80N65X2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥115.91000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X2
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)80A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)40 毫欧 @ 40A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5.5V @ 4mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)143 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)8245 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)890W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247(IXTH)
  • 封装/外壳TO-247-3