时间：2025/8/6 8:20:29
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IXFH80N25X3 是一款由 Littelfuse（原 IXYS 公司）生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率开关和电源转换系统中。该器件具有高电流承载能力和低导通电阻，适用于电机控制、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）系统和焊接设备等应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：250V
最大漏极电流（ID）：80A
导通电阻（RDS(on)）：最大25mΩ（典型值约20mΩ）
栅极电压（VGS）：±20V
最大功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263（D2Pak）
IXFH80N25X3 的核心特性包括其低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该器件具有高电流承载能力（80A），使其适用于高功率应用场景。此外，其耐压能力为250V，可满足多种中高压电源管理需求。采用 TO-263 表面贴装封装，便于散热设计和自动化组装，适合高密度电源系统。该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和抗冲击能力，能够在恶劣环境下稳定运行。
该器件的栅极驱动特性优化，支持快速开关操作，减少开关损耗。同时，其封装设计具有良好的散热性能，能够有效传导热量，提高长期运行的可靠性。此外，IXFH80N25X3 采用多层金属氧化物半导体结构，确保了器件在高电压和大电流条件下的稳定性和耐久性。
IXFH80N25X3 常用于高功率 DC-DC 转换器、工业电机控制、不间断电源（UPS）、电焊机、电池管理系统（BMS）以及太阳能逆变器等应用。其高电流和低导通电阻特性也使其适用于同步整流、负载开关和功率因数校正（PFC）电路中。由于其封装形式适合表面贴装工艺，因此广泛应用于自动化生产和高密度 PCB 设计中。
IXFH80N25X2, IXFH100N25X3, IXFN80N25T, IXFN80N25P
