IXFH7N90 时间：2025/8/6 8:28:10 阅读：12

IXFH7N90 是一款由 IXYS 公司制造的高电压、高电流 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件专为高功率开关应用设计，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。其主要特点包括低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力以及出色的热性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：7A
　　最大漏源电压（VDS）：900V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为 1.7Ω（最大 2.2Ω）
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247AC

特性

IXFH7N90 MOSFET 具备一系列优异的电气和热特性，使其适用于高功率开关应用。其低导通电阻（RDS(on)）能够减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有高击穿电压（900V），可承受高电压应力，适用于高电压工作环境。
　　该 MOSFET 采用 TO-247AC 封装，具备良好的散热性能，可有效降低工作温度，提高器件的稳定性和寿命。该封装形式也便于安装在散热片或功率模块中，提高系统的热管理能力。
　　IXFH7N90 还具备快速开关特性，适用于高频开关应用。其低输入电容（CISS）和低反向恢复电荷（Qrr）有助于减少开关损耗，提高系统的动态响应能力。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计。
　　由于其高耐压能力和良好的热稳定性，IXFH7N90 可用于各种高功率应用，如电源转换器、电机驱动器、UPS 系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。

应用

IXFH7N90 MOSFET 主要应用于高电压、高功率的电力电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，该器件可用于高电压 DC-AC 或 DC-DC 转换器，实现高效能的能量转换。在电机驱动系统中，它可用于 H 桥逆变器，控制电机的转速和方向。
　　此外，该 MOSFET 可用于不间断电源（UPS）系统中的功率因数校正（PFC）电路，提高输入电源的利用率并减少谐波干扰。在工业自动化设备中，如变频器和伺服驱动器，IXFH7N90 可用于功率开关，实现高精度的运动控制。
　　由于其高可靠性和优异的热管理能力，该器件也适用于高环境温度下的应用，如电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及工业加热设备。