时间：2025/8/6 3:33:16
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IXFH72N30X3 是一款由 Littelfuse（前身为 IXYS Corporation）制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流、高频率开关应用设计。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能，适用于工业电机控制、电源转换、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电焊设备等高功率场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流：72A
最大漏-源电压：300V
最大栅-源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大 0.035Ω（典型值 0.03Ω）
功率耗散：300W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247AC
IXFH72N30X3 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有极低的导通电阻和快速的开关特性，从而减少了导通损耗和开关损耗。该器件的封装设计具备良好的热传导性能，有助于在高负载条件下保持较低的工作温度，提升系统稳定性。
此外，该 MOSFET 具备出色的雪崩能量承受能力，能够在高电压瞬态条件下提供一定程度的保护。其栅极设计支持快速充放电，适用于高频开关电路，如 DC-DC 转换器、逆变器和电机驱动器。该器件还具有较高的短路耐受能力，增强了在极端工况下的可靠性。
IXFH72N30X3 的栅极驱动电压范围为 10V 至 20V，通常在 10V 以上即可实现完全导通，适合搭配标准的 MOSFET 驱动 IC 使用。该器件还具备较低的输入电容和反向恢复电荷，有助于提高系统的整体效率。
IXFH72N30X3 广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于：工业电机控制、逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电焊机、DC-DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路以及高功率开关电源等。其优异的电气和热性能使其成为需要高效率、高可靠性的开关应用的理想选择。
IXFH72N30P, IXFH72N30X2, IXFN72N30
