时间：2025/8/5 14:58:46
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IXFH69N30P 是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛应用于高功率电源、工业设备、电机控制以及逆变器系统中。该器件采用TO-247封装，具有良好的散热性能和高电流处理能力，适用于需要高可靠性和高效能的电路设计。
类型：MOSFET
晶体管类型：N沟道
漏源电压(Vds)：300V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：69A
导通电阻(Rds(on))：0.052Ω
功率耗散(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-247
IXFH69N30P MOSFET具备低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件的高电流承载能力使其适合用于高功率应用，如电源转换器、电机驱动器和焊接设备等。
此外，IXFH69N30P具有良好的热稳定性，能够在高温度环境下稳定工作。其快速开关特性减少了开关损耗，提高了整体系统的响应速度和效率。
该MOSFET还具备较高的抗雪崩能力，能够在突发高电压情况下保持稳定运行，增强了器件的耐用性和可靠性。
由于其TO-247封装设计，IXFH69N30P具备良好的散热性能，可以有效降低热阻，延长器件寿命。
IXFH69N30P常用于各种高功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、电机控制、逆变器、UPS（不间断电源）、焊接机、工业自动化系统以及电能质量调节设备。其高效率和高可靠性的特点使其成为工业和电力电子领域的理想选择。
IXFH68N30P, IXFH65N30P, IRFP460LC
