时间：2025/7/10 6:46:09
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IXFH60N65X2是由IXYS公司生产的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用Trench技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。其额定电压为650V，连续漏极电流为60A，工作温度范围从-55℃到150℃。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：60A
栅极阈值电压：4V~6V
导通电阻（典型值）：70mΩ
总栅极电荷：85nC
输入电容：2390pF
反向恢复时间：12ns
工作结温范围：-55℃~150℃
IXFH60N65X2是一款高性能的MOSFET，具备以下特点：
1. 高额定电压（650V），适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻（70mΩ典型值），减少功率损耗。
3. 快速开关性能，总栅极电荷较小，有助于提高效率。
4. 优秀的热稳定性，可在宽温度范围内可靠工作。
5. 紧凑的封装设计，便于电路板布局。
6. 符合RoHS标准，环保且适合现代工业需求。
该器件主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电机驱动和控制电路中的功率开关。
3. 太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换模块。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电动汽车及混合动力汽车中的DC-DC转换器。
6. 各类高频功率变换器中作为关键功率元件。
IXFN60N65B2, IRFP260N, STW115N65DM2
