时间：2025/8/6 4:41:34
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IXFH60N65X2-4 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）制造的高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率密度和高效率的开关应用。该器件采用了先进的沟道技术，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于工业电源、DC-DC 转换器、电机控制、UPS 和其他高功率电子系统。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（ID）：60A
漏源电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大 0.125Ω（在 VGS=10V）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247AC
引脚数：3 引脚
IXFH60N65X2-4 具备多项优异的电气和热性能。其沟道设计显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件的高耐压能力（650V）使其适用于高电压输入环境下的功率转换应用。
此外，该 MOSFET 采用了 TO-247AC 封装，具有良好的热管理和散热性能，能够在高功率条件下保持稳定运行。其 ±20V 的栅极电压耐受能力增强了器件在复杂驱动电路中的可靠性，减少了栅极击穿的风险。
IXFH60N65X2-4 适用于多种高功率电子系统，包括工业电源、DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动、变频器以及太阳能逆变器等。其高耐压和低导通电阻特性使其成为高效率开关电源设计中的理想选择。此外，该 MOSFET 也可用于功率因数校正（PFC）电路和高功率密度电源模块的设计。
IXFH60N65X2-4 可以替代的型号包括 IRFP4668、IXFH50N65X2-4 和 FCP20N60N。在选择替代器件时，应确保其电气参数、封装形式和散热要求与 IXFH60N65X2-4 相匹配。
