时间：2025/8/5 15:01:08
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IXFH60N50P是一款由IXYS公司制造的高功率N沟道增强型MOSFET，广泛用于高电压和高电流的应用场合。该器件设计用于高效的功率转换系统，例如电源供应器、DC-AC逆变器、马达控制以及工业自动化设备。其额定电压为500V，最大连续漏极电流为60A，并具备低导通电阻和快速开关速度的特性，适用于高频操作环境。该MOSFET采用TO-247封装形式，具备良好的散热性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大漏极电流(Id)：60A（Tc=25°C）
导通电阻(Rds(on))：0.145Ω（最大值）
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.1V至4.0V
最大功耗(Pd)：208W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXFH60N50P采用了先进的平面硅栅工艺制造，具备出色的开关性能和低导通损耗，适用于高效率电源系统设计。其导通电阻非常低，有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件还具有快速的反向恢复时间，适合高频开关应用。此外，IXFH60N50P具备高雪崩能量耐受能力，能够承受瞬态过电压和过电流的冲击，提高了器件的可靠性和耐用性。由于其TO-247封装结构，散热性能优异，能够在较高功率下稳定工作。该MOSFET还具有良好的热稳定性，避免因温度升高而引起的性能下降。
IXFH60N50P被广泛应用于工业电源、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电机驱动系统、电焊机、充电器以及高功率DC-DC转换器等高电压和高电流的功率电子设备中。此外，它也适用于需要高频开关和高效能转换的电力电子系统，如高频感应加热装置和高功率放大器。
IXFH60N50Q, IXFN60N50, IRFP460LC, STP60NM50ND
