IXFH60N20F:
　　类型: N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）: 60A
　　最大漏-源电压（VDS）: 200V
　　导通电阻（RDS(on)): 0.045Ω
　　最大功耗（PD）: 350W
　　封装形式: TO-247
　　工作温度范围: -55°C ~ +175°C
　　CMH82N25:
　　类型: N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）: 82A
　　最大漏-源电压（VDS）: 250V
　　导通电阻（RDS(on)): 0.032Ω
　　最大功耗（PD）: 400W
　　封装形式: TO-247
　　工作温度范围: -55°C ~ +175°C

IXFH60N20F具有较低的导通电阻，可提供较高的电流承载能力，并且在高温下具有良好的稳定性。该器件的快速开关特性使其适用于高频率操作环境。其TO-247封装形式有助于散热，从而提高整体系统效率。此外，该MOSFET具备较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗。
　　CMH82N25是一款高耐压、大电流的N沟道MOSFET，其导通电阻更低（0.032Ω），可支持更高的漏极电流（82A）和漏-源电压（250V）。该器件同样适用于高频率开关应用，并具有良好的热稳定性和低开关损耗。CMH82N25的TO-247封装形式也提供了良好的散热性能，适合高功率密度设计。

IXFH60N20F适用于高功率开关电源、DC-DC转换器、电机控制器和逆变器等应用场景。由于其快速开关特性和良好的热稳定性，该器件也常用于工业自动化和电力调节设备。
　　CMH82N25则广泛应用于高性能电源管理、大功率逆变器、不间断电源（UPS）、电动车充电器以及工业电机控制等场合。其高电流能力和低导通电阻使其在高负载应用中表现出色。

IXFH60N20F的替代型号：IXFH60N20P、IXFH60N25T
　　CMH82N25的替代型号：IRF840、CMH100N25