IXFH58N20 时间：2025/12/29 13:08:59 阅读：12

IXFH58N20是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和逆变器等高功率电子设备中。该器件采用了先进的平面技术，具有低导通电阻、高耐压和快速开关性能等特点，适用于高效率和高频工作环境。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：200V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：连续58A
　　导通电阻(Rds(on))：最大33mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散(Pd)：300W

特性

IXFH58N20具有多项优异的电气和热性能，能够满足高功率密度和高效率的设计需求。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为33mΩ，显著降低了导通损耗，从而提高了系统整体效率。其次，该MOSFET的最大漏源电压为200V，支持在高压环境下稳定工作。此外，其额定漏极电流高达58A，适用于高电流负载应用。
　　为了优化开关性能，IXFH58N20具备快速的开关速度，减少了开关损耗，并支持高频操作。这对于现代开关电源（SMPS）和DC-DC转换器至关重要。同时，该器件采用了TO-247封装，具有良好的热管理能力，有助于在高功率应用中保持稳定的工作温度。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常为10V至20V之间，允许使用标准的MOSFET驱动器进行控制。此外，其栅源电压容限为±20V，提供了更高的设计灵活性和可靠性。最后，该器件具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。

应用

IXFH58N20适用于多种高功率电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）以及工业自动化控制系统。由于其高电流能力和快速开关特性，该器件特别适合用于需要高效率和高频率操作的应用场景。
　　在开关电源中，IXFH58N20可以作为主开关或同步整流器使用，以提高电源转换效率并减少热量产生。在电机控制应用中，该MOSFET可用于H桥电路，实现对直流电机或步进电机的精确控制。在太阳能逆变器和储能系统中，IXFH58N20也常用于功率转换环节，确保高效稳定的能量传输。
　　此外，该器件还适用于各种工业设备和电源管理系统，如焊接设备、电镀电源、测试仪器等。由于其良好的热性能和稳定性，IXFH58N20也可用于汽车电子、航空航天和轨道交通等高可靠性领域。