时间：2025/8/6 12:57:20
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IXFH50N85X 是一款由 Littelfuse（原 IXYS Corporation）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高功率密度应用设计，具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性，适用于各种工业和消费类电源系统。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：850V
最大漏极电流（ID）：50A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：0.145Ω @ VGS=10V
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V ~ 4.0V
最大功耗（PD）：250W
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
IXFH50N85X 的核心特性之一是其出色的导通性能，RDS(on) 低至 0.145Ω，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件采用了先进的平面技术，提供更高的雪崩能量耐受能力，使其在高应力条件下依然保持稳定工作。
此外，该 MOSFET 具有快速开关特性，开关损耗较低，适用于高频开关电源应用。其 TO-247 封装具备良好的散热性能，能够有效将热量传导至散热片，提高系统的热稳定性。
该器件还具备良好的短路耐受能力，适用于需要高可靠性的工业电源、电机驱动和逆变器等应用场景。
IXFH50N85X 被广泛应用于各类高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、不间断电源（UPS）、电机控制、焊接设备以及太阳能逆变器等。由于其高耐压和低导通电阻的特性，它特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源设计。
在工业自动化和新能源领域，IXFH50N85X 也常被用于功率因数校正（PFC）电路中，以提升系统的整体能效。同时，其优异的雪崩特性使其在负载突变或短路等极端工况下仍能保持稳定运行。
IXFH50N85X 的替代型号包括 IXFH50N85P 和 IXFH45N85X。这些型号在电气参数和封装形式上具有高度兼容性，可根据具体设计需求进行替换。
