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IXFH50N60B2 发布时间 时间:2025/8/5 23:41:44 查看 阅读:17

IXFH50N60B2是一款由Littelfuse(原IXYS公司)制造的N沟道功率MOSFET。该器件专为高电压、高电流应用场景设计,具有出色的导通和开关性能,适用于工业电源、逆变器、电机控制和电源转换设备等领域。

参数

类型:N沟道
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大漏极电流(Id):50A
  导通电阻(Rds(on)):0.155Ω
  栅极电压(Vgs):±20V
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-247
  功率耗散(Pd):208W
  漏源击穿电压(BVDSS):600V

特性

IXFH50N60B2采用先进的平面技术制造,具备低导通电阻和高开关速度的特点,有助于降低系统损耗并提高效率。
  其高耐压特性使其适用于600V级别的功率转换系统。
  该MOSFET具有良好的热稳定性和耐用性,在高负载条件下依然能够保持稳定运行。
  此外,该器件的封装设计有助于良好的散热性能,适用于需要高功率密度的设计场景。
  其栅极驱动特性较为平滑,降低了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰(EMI)问题,适用于高频开关应用。

应用

IXFH50N60B2广泛应用于工业电源系统、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电机驱动器、DC-DC转换器以及通用功率开关电路。
  在电机控制应用中,它可用于高效PWM控制电路,提供稳定可靠的功率输出。
  在可再生能源系统中,例如光伏逆变器,该器件能够实现高效率的直流到交流转换。
  此外,它也适用于各种需要高电压、高电流处理能力的开关电源设计,如LED驱动电源和工业自动化控制设备中的电源模块。

替代型号

IXFH50N60P、IXFH50N60Q、IXFH48N60B2

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