IXFH40N85X 时间：2025/8/6 11:15:08 阅读：25

IXFH40N85X 是由 IXYS 公司生产的一款高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电流、高电压应用场景设计，具有优异的导通电阻和开关性能，适用于需要高效能和高可靠性的工业、电源管理、电机控制以及新能源领域。该封装形式为 TO-263（D2-PAK），支持表面贴装，便于在高密度 PCB 中使用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：40A
　　最大漏源电压（VDS）：85V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 0.018Ω（在 VGS=10V）
　　栅极电荷（QG）：典型值 65nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

IXFH40N85X 采用先进的平面沟槽栅技术，确保了低导通电阻和高电流承载能力。其低 RDS(on) 特性有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具备快速开关能力，减少开关损耗，适用于高频应用。该 MOSFET 内部集成了反向并联二极管，可有效抑制感性负载下的反向电动势，提升系统稳定性。
　　该器件的 TO-263 封装具有良好的热性能，支持较高的功率密度，同时具备优异的抗热疲劳性能，适用于高温环境下的长期运行。此外，其耐压能力强，可在高电压波动环境下稳定工作。
　　IXFH40N85X 还具备优异的短路耐受能力，能够在极端工况下保护电路系统，提高设备的可靠性。其高抗雪崩能力使其在电机控制和电源转换等应用中表现优异。

应用

IXFH40N85X 主要用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、工业自动化设备、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及新能源系统（如太阳能逆变器、电动车控制系统）等。
　　在电机控制领域，该 MOSFET 可用于 H 桥结构驱动直流电机或步进电机，提供快速响应和稳定控制。在电源管理应用中，它可作为主开关器件用于同步降压或升压转换器，提高转换效率。在新能源应用中，如电动车或储能系统，该器件可作为功率开关用于能量转换与分配。