时间：2025/8/6 0:33:00
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IXFH40N60是一种N沟道增强型功率MOSFET，由IXYS公司制造，适用于高功率应用，如电源转换器、电机控制和逆变器等。该器件具有低导通电阻和高电流能力，使其在高频率开关应用中表现出色。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：40A
功耗(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXFH40N60具有多项优异特性，包括低导通电阻(Rds(on))，通常小于0.065Ω，从而减少了导通损耗。该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，提高了器件在高压瞬态条件下的可靠性。此外，其快速开关特性使其适用于高频开关应用，从而减少了开关损耗并提高了系统效率。该器件还具有良好的热性能，能够承受高工作温度，确保在恶劣环境下的稳定运行。
IXFH40N60采用了先进的平面技术，提供了卓越的稳定性和耐用性。其高电流能力使其适用于高功率密度设计，而±20V的栅极电压耐受能力则允许使用更灵活的驱动电路。此外，该MOSFET的封装形式为TO-247，便于安装和散热管理，适用于各种高功率应用场景。
IXFH40N60广泛应用于电力电子领域，如AC-DC电源转换器、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和不间断电源(UPS)系统。它还可用于工业控制系统、太阳能逆变器和电动汽车充电设备等高功率电子系统中。该器件的高可靠性和高效性能使其成为高性能电源管理和功率控制应用的理想选择。
IXFH40N60P, IXFH40N60Q, IXFH40N60T
