时间：2025/8/6 1:56:23
阅读：16
IXFH36N60X3是一款由IXYS公司制造的高性能N沟道功率MOSFET，适用于需要高效率和快速开关的应用场合。该器件采用TO-247封装，具备低导通电阻和高耐用性，广泛应用于电源转换器、电机驱动器和开关电源中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
连续漏极电流（ID）：36A
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为0.11Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXFH36N60X3 MOSFET具有多项优异特性，能够满足复杂电源管理需求。首先，其600V的漏源电压额定值和36A的连续漏极电流使其适用于高功率应用，例如工业电源、电机控制和光伏逆变器。其次，该器件的导通电阻仅为0.11Ω，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，IXFH36N60X3具备±20V的栅源电压耐受能力，使其在驱动过程中具有更高的稳定性和可靠性。
该MOSFET采用了先进的硅技术，提供快速开关性能，降低了开关损耗，并在高频工作条件下表现出色。TO-247封装不仅提供了良好的散热能力，还简化了安装和散热设计。此外，该器件具有较低的热阻，能够在高温环境下稳定运行，确保系统长期工作的可靠性。IXFH36N60X3还具有高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保护器件免受损坏。
IXFH36N60X3主要应用于需要高效率和高可靠性的电力电子设备中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、电池充电器以及工业自动化控制系统。在这些应用中，IXFH36N60X3能够提供稳定的性能，并有效降低系统的能量损耗，提高整体能效。其优异的热性能和电气特性使其成为高温环境下工作的理想选择。
IXFH36N60P, IXFH32N60Q, IXFN36N60Q
