IXFH34N65X3 是一款由 Littelfuse(原 International Rectifier)公司生产的高功率 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关电源、DC-DC 转换器、电机控制以及工业电源系统等应用。该器件采用先进的沟槽栅场阻断技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高效率的开关特性,适用于高频率和高功率密度的设计需求。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(VDS):650V
最大漏极电流(ID):34A(Tc=25°C)
导通电阻(RDS(on)):最大 75mΩ(在 VGS=10V)
栅极电压(VGS):±20V
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-247AC
功率耗散(PD):200W
漏极-源极击穿电压(BVDSS):650V
阈值电压(VGS(th)):典型值 3.5V(范围 2V 至 5V)
IXFH34N65X3 采用先进的沟槽栅场阻断技术,使其在高电压应用中仍能保持较低的导通损耗。其最大导通电阻仅为 75mΩ,在高电流负载下仍能保持良好的效率。该器件具有出色的热稳定性和高温耐受能力,工作温度可高达 +175°C,适用于高温环境下的工业和电源系统。此外,该 MOSFET 的开关速度较快,有助于减少开关损耗,提高系统整体效率。
该器件的 TO-247AC 封装形式具有良好的散热性能,能够有效降低结温,延长器件寿命。其栅极驱动电压范围为 10V 至 20V,兼容常见的驱动电路设计,便于集成到各种功率变换系统中。此外,该器件具有较高的短路耐受能力,能够在异常工况下提供一定的保护功能,提高系统的可靠性。
在电磁干扰(EMI)方面,IXFH34N65X3 的结构设计有助于降低高频开关时产生的噪声,从而简化滤波电路的设计。其低漏源电容(Coss)也有助于减少开关过程中的能量损耗。
IXFH34N65X3 主要应用于高功率 DC-DC 转换器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、工业电机驱动、感应加热设备以及高功率开关电源(SMPS)中。由于其高耐压和低导通电阻的特性,它也非常适合用于功率因数校正(PFC)电路以及 LLC 谐振转换器等高效能电源拓扑结构。此外,该器件还可用于电动车辆(EV)充电设备、储能系统以及工业自动化控制系统中的高功率开关部分。
IXFH34N65X3 可以考虑的替代型号包括 IXFH34N60Q、IXFH34N80Q、STF34N65DM2、以及 Infineon 的 IPP65R075CFD7S。这些器件在电压、电流及导通电阻方面具有相似特性,具体替换需根据电路设计和散热条件进行评估。