时间：2025/5/7 9:46:24
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IXFH34N65X2 是一款由 IXYS 公司生产的高压 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 Trench 技术设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合应用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及逆变器等领域。
这款 MOSFET 的额定电压为 650V，能够承受较高的漏源极电压，同时具备较强的电流处理能力，使其在工业及消费类电子领域中得到了广泛应用。
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：19A
导通电阻(Rds(on))：180mΩ（典型值，@Vgs=10V）
总功耗(Ptot)：270W
结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
封装形式：TO-247
IXFH34N65X2 的主要特性包括以下几点：
1. 高额定电压 (650V)，适用于各种高压应用场景；
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提高系统效率；
3. 快速开关性能，减小开关损耗，在高频应用中表现优异；
4. 强大的雪崩能量能力，提高了器件在异常工作条件下的可靠性；
5. 热稳定性强，能够在较宽的温度范围内正常工作；
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
IXFH34N65X2 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)，如 PC 电源、适配器等；
2. DC-DC 转换器，用于电压调节和电平转换；
3. 电机驱动电路，控制直流无刷电机或步进电机；
4. 逆变器电路，将直流电转换为交流电；
5. 工业自动化设备中的功率控制模块；
6. 太阳能微逆变器以及其他新能源相关设备。
IXFN40N65T2, IRFP460, STW83N65M2
