您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXFH32N50

IXFH32N50 发布时间 时间:2025/12/29 13:12:00 查看 阅读:12

IXFH32N50 是一款由 Littelfuse(原 IXYS Corporation)制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高功率开关应用。该器件设计用于在高电压和大电流条件下提供高效、可靠的性能,广泛应用于电源转换器、电机控制、逆变器和工业自动化系统中。该MOSFET采用TO-247封装,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关特性,适用于高效率和高频率操作。

参数

最大漏源电压(Vds):500V
  最大漏极电流(Id):32A(Tc=25℃)
  最大栅极电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):典型值0.125Ω
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  漏极雪崩能量额定值:500mJ
  封装类型:TO-247

特性

IXFH32N50 的主要特性之一是其优异的导通和开关性能。其导通电阻较低,有助于降低导通损耗,提高系统的整体效率。此外,该器件具有高击穿电压(500V)和较大的额定电流(32A),能够在高功率环境下稳定工作。
  IXFH32N50 采用先进的平面技术制造,具备良好的热稳定性和高可靠性,适合长时间运行的工业应用。其TO-247封装形式提供了良好的散热性能,便于安装在散热器上,有助于提高器件的热管理能力。
  另一个显著特点是其快速的开关速度,有助于减少开关损耗,提高电路的工作频率。该特性对于DC-DC转换器、PFC(功率因数校正)电路和电机控制应用尤为重要。
  此外,IXFH32N50 具有较高的雪崩能量承受能力,能够在突发性高压或电流冲击下保持稳定运行,从而提高系统的耐用性和安全性。这种特性对于在复杂电气环境中运行的设备来说尤为重要。
  最后,该器件的栅极驱动电压范围宽广(±20V),兼容多种驱动电路设计,便于集成到不同的功率电子系统中。

应用

IXFH32N50 主要应用于需要高功率密度和高效能的电子系统中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、工业电机驱动器、逆变器、UPS(不间断电源)、电焊机、太阳能逆变器和PFC(功率因数校正)电路等。
  在电源管理系统中,IXFH32N50 常用于高功率DC-DC转换器中,作为主开关器件,以实现高效的能量转换。在电机控制应用中,该MOSFET可用于H桥电路,驱动直流或无刷直流电机,实现精确的速度和扭矩控制。
  此外,该器件还广泛用于新能源系统,如光伏逆变器和风力发电变流器中,作为关键的功率转换元件。由于其高耐压和大电流能力,IXFH32N50 也适用于高功率LED照明驱动电路和电动车充电系统。
  在工业自动化设备中,IXFH32N50 可用于伺服驱动器和变频器中,提供高效的功率控制和稳定的运行性能。它也适用于高频感应加热设备、电镀电源等高功率应用。

替代型号

IXFH32N50P, IXFH30N50P, IXFH36N50P, FCP32N50, FQA32N50

IXFH32N50推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXFH32N50资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IXFH32N50参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C32A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs300nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5700pF @ 25V
  • 功率 - 最大360W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247AD
  • 包装管件