时间：2025/8/6 6:47:45
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IXFH28N50是一款由IXYS公司制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于高功率和高频率的开关电路中。该器件设计用于高效能操作，具有低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压的特点。IXFH28N50常用于电源转换器、电机驱动器和各种工业控制设备中。
类型: N沟道MOSFET
最大漏极电流: 28A
最大漏-源电压: 500V
最大栅极-源极电压: ±20V
最大功耗: 300W
工作温度范围: -55°C至150°C
封装类型: TO-247
IXFH28N50的主要特性包括其低导通电阻，这使得器件在导通状态下能够保持较低的功率损耗，从而提高整体效率。此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频应用，减少开关损耗并提高系统性能。其高雪崩能量耐受能力确保了在极端条件下的可靠性，同时，器件的封装设计提供了良好的散热性能，有助于维持稳定的运行温度。
此外，IXFH28N50还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间工作而不影响性能。栅极驱动要求较低，使得其与常见的驱动电路兼容性强，降低了设计复杂度。该器件还具备较强的短路耐受能力，使其在突发故障情况下能够提供额外的安全保障。
IXFH28N50适用于多种高功率电子系统，包括但不限于电源供应器、不间断电源（UPS）、电机控制器、焊接设备以及工业自动化设备中的开关电源模块。其优异的电气性能和可靠性使其成为电力电子领域的重要元件。
IXFH28N50P, IXFH28N50Q
