时间：2025/8/6 11:09:26
阅读：31
IXFH26N60是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高电压和高电流的功率转换场合。该器件具备较高的耐压能力，最大漏源电压（VDS）为600V，最大漏极电流（ID）为26A，适用于开关电源、逆变器、电机驱动以及各种高效率电源管理系统。
漏源电压(VDS)：600V
漏极电流(ID)：26A
栅源电压(VGS)：±20V
导通电阻(RDS(on))：典型值为0.23Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
IXFH26N60 MOSFET采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻，有助于减少导通损耗，提高整体效率。其高耐压能力使其能够在高压应用中稳定运行。此外，该器件具备快速开关特性，适用于高频开关电路，减少开关损耗并提升系统响应速度。由于其TO-247封装形式具有良好的散热性能，因此在高功率操作下依然保持稳定的工作温度。
该MOSFET还具备优异的抗雪崩能力和热稳定性，确保在极端工作条件下仍能可靠运行。其栅极设计具有较高的抗干扰能力，能够有效防止误触发，提高系统的整体安全性。此外，该器件的参数一致性较高，适用于批量生产中的严格一致性要求，减少因元件差异带来的设计复杂性。
IXFH26N60常用于各种电力电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机控制逆变器、UPS（不间断电源）系统、太阳能逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高电压和高电流能力也使其适用于需要高效率和高可靠性的家电产品，如变频空调、电磁炉等。
IXFH24N60P, IXFN26N60P, IRFPC50, FGL40N120AND
