IXFH26N49 时间：2025/8/6 0:22:55 阅读：28

IXFH26N49 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电流、高电压的电力电子应用。该器件采用 TO-247 封装，具有出色的热性能和低导通电阻的特点，使其适用于开关电源、电机控制、逆变器、焊接设备和 DC-DC 转换器等需要高效功率转换的场合。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 (Vds)：490V
　　最大漏极电流 (Id)：26A
　　栅极阈值电压 (Vgs(th))：约 4.5V 至 6.5V
　　导通电阻 (Rds(on))：约 0.145Ω（最大）
　　最大耗散功率 (Ptot)：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXFH26N49 具备一系列优秀的电气和热性能。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 的高耐压能力（490V）使其适用于中高压功率转换应用。TO-247 封装提供了良好的热管理性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　该器件采用先进的平面技术，提供更高的耐用性和可靠性，适合在恶劣环境下工作。IXFH26N49 的快速开关能力可减少开关损耗，提高整体能效。同时，它具备较强的雪崩能量承受能力，增强了器件在高压瞬态条件下的稳定性。
　　在短路和过载条件下，IXFH26N49 也能维持一定的工作稳定性，这使其在工业控制、电源管理和电机驱动等关键应用中具有较高的安全性和可靠性。