时间：2025/8/6 0:36:22
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IXFH26N100X 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能，适用于工业电机控制、电源转换、逆变器以及可再生能源系统等场合。IXFH26N100X 采用 TO-247 封装，具备良好的散热性能和机械稳定性。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：26A
最大漏-源电压（VDS）：1000V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.26Ω
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
IXFH26N100X 的设计采用了先进的高压沟槽栅技术，使其在高压工作条件下仍能保持较低的导通损耗。该器件的导通电阻仅为 0.26Ω，能够在高电流下实现更低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。
该 MOSFET 具有优异的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下长时间运行。其 TO-247 封装形式不仅提供了良好的散热路径，还增强了机械强度，适用于各种严苛的工作环境。
此外，IXFH26N100X 具有快速开关特性，能够支持高频工作，从而减小外部滤波元件的尺寸并提高系统的响应速度。这一特性使其在电源转换器、逆变器和电机控制应用中具有显著优势。
为了确保安全运行，该器件还具备过热保护和雪崩能量耐受能力，能够有效应对突发的电流冲击和电压浪涌，延长使用寿命。
IXFH26N100X 广泛应用于各种高功率电子系统中，包括工业电机驱动器、电源转换器（如 DC-DC 转换器和 AC-DC 整流器）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动车充电系统。
在工业自动化领域，该 MOSFET 常用于高频开关电源和电机控制电路中，以实现高效的能量转换与控制。
在可再生能源系统中，如太阳能逆变器和风能转换系统，IXFH26N100X 可作为主开关器件，负责将直流电转换为交流电并输送到电网。
此外，该器件还适用于高频感应加热、电焊设备以及各种需要高压、大电流开关能力的电子设备。
IXFH26N100Q, IXFH24N100P, IXFH28N100Q
