时间：2025/8/6 7:25:33
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IXFH25N20是一款由IXYS公司生产的高电压、高电流N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高功率开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及逆变器等电力电子系统中。该器件采用TO-247封装，具备良好的热性能和高可靠性。IXFH25N20的设计旨在提供低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和快速开关特性，适用于高频开关操作。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：200V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：25A（在Tc=25℃）
脉冲漏极电流(Idm)：100A
功耗(Pd)：300W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：TO-247
导通电阻(Rds(on))：最大0.085Ω（在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：62nC（典型值）
输入电容(Ciss)：1500pF（典型值）
反向恢复时间(trr)：120ns（典型值，内部二极管）
二极管正向压降(Vf)：1.8V（典型值，在If=25A时）
IXFH25N20具有多项优异的电气和热性能。首先，其漏源电压额定值为200V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率的开关应用。其次，该MOSFET的最大连续漏极电流为25A，在良好的散热条件下可以支持较高的负载能力。导通电阻Rds(on)的最大值为0.085Ω，确保了较低的导通损耗，有助于提高电源转换效率。
该器件采用了先进的平面技术，提供了良好的开关性能，栅极电荷Qg的典型值为62nC，使得在高频工作下驱动损耗较低，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。此外，输入电容Ciss为1500pF，有助于减小高频噪声和电磁干扰（EMI）。
内置的快速恢复二极管具有120ns的反向恢复时间，正向压降为1.8V，在同步整流和H桥等应用中表现出良好的性能。IXFH25N20还具备良好的热稳定性，TO-247封装提供了优良的热传导性能，有助于快速散热，从而提高器件的可靠性与寿命。
最后，该MOSFET的工作温度范围为-55℃至+150℃，适用于各种恶劣的工业环境，且具有较高的抗过载能力和稳定性。
IXFH25N20广泛应用于多种高功率和高频率的电力电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS系统、太阳能逆变器、焊接设备、电镀电源以及高频感应加热装置。其高耐压、大电流能力和快速开关特性使其成为高效率功率转换系统的理想选择。
IXFH25N20P, IXFH25N20Q, IXFH28N20
