类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大漏极电流（ID）：24A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247AC

IXFH24N50P3具有多项优异的电气特性，首先其高耐压能力（500V）使其适用于中高压应用。该器件的低导通电阻（0.22Ω）可以显著降低导通损耗，提高系统效率，同时减少散热需求。此外，该MOSFET具有快速开关特性，适合高频工作环境，从而支持更高的功率密度设计。
　　该器件采用了先进的Trench沟槽技术，提升了电流处理能力和稳定性。同时，其高雪崩能量承受能力确保了在恶劣工作条件下的可靠性。栅极驱动电压范围宽（±20V），允许使用标准的栅极驱动电路进行控制，简化了设计流程。
　　在封装方面，TO-247AC是一种广泛应用于高功率器件的封装形式，具有良好的热管理和机械稳定性，适用于高功率密度设计。此外，IXFH24N50P3还具有良好的抗短路能力，适合在高可靠性要求的工业和汽车应用中使用。

IXFH24N50P3主要应用于需要高电压和高电流处理能力的功率电子系统。例如，在电源管理系统中，它可被用于AC-DC或DC-DC转换器，提供高效的能量转换。此外，它也广泛应用于电机驱动和控制电路，如变频器和伺服驱动器中，用于实现精确的功率控制。
　　在可再生能源领域，该MOSFET可用于太阳能逆变器和风能转换系统，以提升能源转换效率。在工业自动化系统中，IXFH24N50P3可用于高频开关电源、负载开关和功率放大器等应用。在汽车电子方面，它可用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的电池管理系统、车载充电器和DC-DC转换器模块。
　　此外，该器件还可用于不间断电源（UPS）、焊接设备、感应加热系统以及高功率LED驱动器等高要求应用中，提供可靠和高效的功率开关解决方案。

IXFH24N50P3-T, IXFH24N50Q2, IXFH24N60P3, IRFP460LC, STF24N50M