IXFH23N80 时间：2025/8/5 18:02:42 阅读：21

IXFH23N80是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的应用。该器件具有优异的热性能和高可靠性，适用于工业电机控制、电源转换、UPS系统、太阳能逆变器以及各种高功率开关应用。其主要特点是低导通电阻、高耐压能力和强大的电流处理能力。

参数

漏源电压(Vds)：800V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：23A（连续）
　　功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 150°C
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.38Ω（最大值0.45Ω）
　　栅极电荷(Qg)：60nC（典型值）
　　封装类型：TO-247AC

特性

IXFH23N80具有多项先进特性，确保其在高功率环境下的稳定性和可靠性。
　　首先，其低导通电阻(Rds(on))使得在导通状态下的功率损耗显著降低，从而提高了整体效率并减少了散热需求。这对于高频开关应用尤其重要，因为开关损耗和导通损耗都会影响系统的热管理和能效表现。
　　其次，该MOSFET具有较高的漏源击穿电压（800V），能够承受较高的电压应力，适用于高电压输入的电源转换器、逆变器和电机控制电路。
　　再者，该器件的封装形式为TO-247AC，这种封装具有良好的热导性能，便于安装散热片或直接连接到散热器，从而有效散发工作时产生的热量，提升器件的稳定性和使用寿命。
　　此外，IXFH23N80还具备较低的栅极电荷(Qg)，这有助于降低高频开关操作中的驱动损耗，提高系统的动态响应能力。
　　最后，该MOSFET采用了先进的平面技术，优化了导通和开关性能，使其能够在恶劣的工作条件下保持高效率和稳定性。

应用

IXFH23N80广泛应用于多个高功率电子系统中，包括但不限于：
　　1. 工业电源和直流-交流逆变器：用于UPS不间断电源系统和太阳能逆变器中，实现高效的能量转换和稳定的输出波形。
　　2. 电机驱动和控制电路：在工业自动化设备中作为高电压开关，控制电机的启停和调速。
　　3. 开关电源(SMPS)：用于各种高效率电源适配器、电池充电器和LED驱动器中，提供高效的功率转换。
　　4. 电力电子转换系统：如DC-DC变换器和AC-DC整流器，在高压直流输电和储能系统中发挥关键作用。
　　5. 家用电器和高功率消费类电子产品：如电磁炉、智能家电的功率控制模块等。
　　该MOSFET凭借其高耐压、低导通电阻和良好的热管理能力，成为许多高功率开关应用中的首选器件。