IXFH230N10T 时间：2025/12/29 14:06:49 阅读：10

IXFH230N10T 是一款由 Littelfuse（原 IXYS Corporation）制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率电源系统、电机驱动、DC-DC 转换器和逆变器等领域。该器件具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力，适用于高效能和高可靠性的功率电子系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：230A（在 25°C 时）
　　导通电阻(Rds(on))：最大 2.7mΩ（典型值 2.2mΩ）
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C

特性

IXFH230N10T 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。其最大导通电阻为 2.7mΩ，典型值更低，确保了在高电流条件下的稳定性能。此外，该 MOSFET 具有高达 100V 的漏源击穿电压，能够承受较高的电压应力，适用于多种高电压应用环境。
　　该器件采用 TO-247 封装，具有良好的热管理和散热性能，适合高功率密度设计。其栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 的驱动电压，便于与多种栅极驱动电路兼容。此外，IXFH230N10T 还具备出色的短路和过载保护能力，提升了系统在极端条件下的稳定性。
　　在热性能方面，IXFH230N10T 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，能够在恶劣的工业和汽车环境中可靠运行。其热阻（Rth）设计优化，确保了在高负载条件下仍能保持较低的结温，延长了器件的使用寿命。

应用

IXFH230N10T 常用于高功率电源管理系统，如 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）以及电机控制和逆变器系统。其高电流能力和低导通电阻使其成为电动汽车（EV）充电系统、工业自动化设备、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等应用的理想选择。
　　在电机驱动系统中，IXFH230N10T 可作为 H 桥结构中的功率开关，实现高效、高可靠性的直流或无刷电机控制。在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可用于高频开关拓扑结构，如同步整流 Buck 或 Boost 电路，以提高整体效率并减少散热需求。
　　此外，该器件也适用于高频开关电源（SMPS）设计，尤其是在需要大电流输出的应用中，如服务器电源、电信设备电源和高功率 LED 照明系统。由于其高耐用性和稳定性，IXFH230N10T 也常用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）和电动助力转向系统（EPS）。