时间：2025/12/29 14:12:14
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IXFH230N075T2 是一款由 Littelfuse（前身为 IXYS Corporation）制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高电流、高频率和高效率的电源转换应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器以及工业电源系统。该 MOSFET 采用 TO-247 封装，具有较低的导通电阻和快速开关特性，适用于需要高功率密度和高效能的场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：75V
最大漏极电流（ID）：230A
导通电阻（RDS(on)）：约 2.7mΩ（典型值）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247
IXFH230N075T2 MOSFET 的主要特性包括极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。其高电流承载能力（高达 230A）使其非常适合用于高功率应用。此外，该器件具有良好的热稳定性与高耐温性能，可在高温环境下稳定运行。
该 MOSFET 还具备快速开关能力，具有较低的开关损耗，适用于高频开关电源和逆变器设计。其封装形式（TO-247）具有良好的散热性能，并兼容标准的功率模块安装方式，便于集成到各种功率系统中。
此外，IXFH230N075T2 具有高抗雪崩能力和较强的短路耐受性，使其在高应力条件下也能保持稳定运行。该器件符合 RoHS 环保标准，适合工业和汽车应用。
IXFH230N075T2 主要应用于高功率 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制器、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备。其高电流能力和低导通电阻也使其成为电动汽车（EV）充电系统、储能系统和高性能电源模块的理想选择。
由于其高效率和良好的热管理性能，该器件在需要高功率密度和低损耗的系统中表现出色。例如，在电机驱动应用中，它可以有效降低功率损耗并提高响应速度；在电源转换器中，可提升整体效率并减少散热需求。同时，它也被广泛用于高频开关电源中，以实现更高的开关频率和更小的磁性元件体积。
IXFH250N075T2, IXFH200N075T2, IRFP4468PBF, AUIRF4410A
