时间：2025/12/29 13:18:21
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IXFH21N50Q 是一款由 Littelfuse（前身为 IXYS Corporation）制造的高电压、高电流 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高功率开关应用，具有低导通电阻和高耐压特性，适用于电源转换器、电机控制、工业电源、电池管理系统等领域。IXFH21N50Q 采用 TO-247 封装形式，具有良好的热性能和高可靠性，适用于高温环境下工作。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：500V
最大漏极电流（ID）：21A
导通电阻（RDS(on)）：0.25Ω（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：3V ~ 5V
最大功耗（PD）：160W
封装形式：TO-247
IXFH21N50Q 的主要特性之一是其高电压和高电流处理能力，能够承受高达 500V 的漏源电压和 21A 的连续漏极电流。这种能力使其非常适合用于高压直流-直流转换器、逆变器和高功率开关电源中。此外，该器件的导通电阻较低，典型值为 0.25Ω，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。
另一个重要特性是其良好的热稳定性与封装设计。TO-247 封装提供了较大的散热面积和良好的热传导性能，使得 IXFH21N50Q 在高功率工作条件下仍能保持较低的结温，从而提高器件的可靠性和寿命。该封装也便于安装散热片，进一步增强散热能力。
此外，IXFH21N50Q 的栅极阈值电压范围为 3V ~ 5V，这意味着它可以与常见的逻辑控制器（如微控制器和 PWM 控制器）直接接口，简化了驱动电路的设计。同时，该器件具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在突发负载或电压尖峰情况下的稳定性。
最后，IXFH21N50Q 的设计符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品制造，并具有良好的长期稳定性，适合用于工业级和高可靠性要求的应用场景。
IXFH21N50Q 主要应用于各种高功率电子系统中。在电源管理系统中，该器件常用于高电压 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器以及不间断电源（UPS）系统中，以实现高效的能量转换和稳定的电压输出。由于其高电流能力和低导通电阻，IXFH21N50Q 在这些应用中可以有效降低功率损耗，提高整体效率。
在电机控制领域，IXFH21N50Q 可用于变频器、伺服驱动器和步进电机控制器中，作为功率开关器件，实现对电机速度和扭矩的精确控制。其高耐压和良好的热稳定性使其在电机启停和负载突变过程中表现出色。
此外，该器件还广泛应用于可再生能源系统，如太阳能逆变器和风力发电变流器中。在这些应用中，IXFH21N50Q 用于将直流电转换为交流电，并连接到电网或储能系统中。其高效率和高可靠性确保了系统在恶劣环境下的稳定运行。
其他应用还包括工业自动化设备、高频感应加热系统、电池充电器和放电器等。由于其良好的驱动特性和高耐压能力，IXFH21N50Q 在这些应用中都能提供可靠的性能。
IXFH24N50Q, IXFH20N50P, FCP21N50, FQA24N50, STF21N50
