时间：2025/8/6 13:06:59
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IXFH20N60 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源转换、电机控制、UPS、太阳能逆变器等高功率场景。这款 MOSFET 设计用于高效、高速开关操作，具备低导通电阻和高耐压能力。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
漏极电流（ID）：20A（在 25°C 下）
导通电阻（RDS(on)）：0.32Ω（最大）
栅极阈值电压（VGS(th)）：4.5V @ 250μA
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247AC
IXFH20N60 MOSFET 采用了先进的平面技术，确保了低导通电阻和卓越的开关性能。其主要特性包括：
? 高击穿电压（600V），可适用于高电压环境下的开关控制。
? 低 RDS(on)（0.32Ω 最大），降低了导通损耗，提高了效率。
? 高电流容量（20A），适合高功率应用。
? 快速开关速度，降低了开关损耗，适用于高频应用。
? 内置反向续流二极管（体二极管），可提供额外的保护和功能扩展。
? TO-247AC 封装提供了良好的散热性能和机械稳定性，适用于高功率密度设计。
此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，同时具备较强的抗短路能力。这使得 IXFH20N60 在电源转换系统中表现出色，尤其是在需要高可靠性和高性能的工业设备中。
IXFH20N60 被广泛应用于多个领域，包括：
? 开关电源（SMPS）中的主开关元件，用于高效能 DC-DC 或 AC-DC 转换。
? 逆变器和 UPS 系统，用于高电压和高电流的功率转换。
? 电机驱动器和变频器，用于控制大功率电机的运行。
? 太阳能逆变器，用于将太阳能板的直流电转换为交流电。
? 焊接设备、电镀电源和高频感应加热系统等高功率应用。
该器件的高速开关特性使其适用于需要快速响应和高效能的电路设计。
IXFH20N60P、IXFH24N60、IXFH20N50、STP20N60
