时间：2025/8/6 12:03:00
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IXFH20N100P是一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），由Littelfuse（前身为IXYS Corporation）制造。该器件设计用于高功率开关应用，具有较高的电流和电压能力，适合用于工业控制、电源转换和电机驱动等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：20A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.075Ω（最大值）
最大功耗（Pd）：160W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-247
IXFH20N100P具备低导通电阻，这使其在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。其高耐压能力（100V）使其适用于多种中高压电源管理场景。此外，该MOSFET采用TO-247封装，提供了良好的散热性能，适用于需要高可靠性和稳定性的工业环境。
该器件还具备出色的热稳定性，能够在高温条件下稳定运行，且具备较强的短时过载能力。这种特性使得IXFH20N100P非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制电路中。其快速开关特性也减少了开关损耗，提高了系统响应速度。
此外，该MOSFET的栅极驱动要求较低，通常可由标准的逻辑电平驱动，简化了驱动电路的设计。其封装形式支持快速安装和良好的热管理，进一步增强了其在高功率应用中的适用性。
IXFH20N100P广泛应用于各种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器和工业自动化控制系统。其高耐压和低导通电阻特性使其在需要高效能和高可靠性的应用中表现优异。此外，该器件也适用于太阳能逆变器、电动车充电系统以及各类电力电子设备中的功率控制部分。
IXFH20N100Q, IXFH24N100P
