IXFH20N100P是一款由IXYS公司生产的高电压、高频率N沟道MOSFET功率晶体管。这款MOSFET专为高功率应用设计,如开关电源(SMPS)、逆变器、电机控制和DC-DC转换器等。其高耐压特性使其在高压系统中表现出色,同时具备低导通电阻和快速开关速度,以提升整体系统效率。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):1000V
最大漏极电流(Id):20A(在Tc=25°C)
导通电阻(Rds(on)):0.45Ω(最大值)
栅极阈值电压(Vgs(th)):4.5V至6.5V
最大功耗(Ptot):300W
封装类型:TO-247AC
工作温度范围:-55°C至+150°C
IXFH20N100P采用了先进的高压MOSFET制造工艺,具备出色的热稳定性和可靠性。其主要特性包括:高耐压能力(1000V),适用于各种高压电路设计;低导通电阻(Rds(on))有助于降低导通损耗,提高能效;快速开关速度,适合高频开关应用;内置的体二极管可提供反向电流保护,增强系统稳定性。此外,该器件采用TO-247AC封装,具有良好的散热性能,适用于高功率密度设计。
在应用中,IXFH20N100P可在各种恶劣环境中稳定运行,具备抗雪崩击穿能力,可有效防止因瞬态过电压造成的损坏。其栅极驱动要求适中,便于与常见的驱动电路配合使用,适合各种高功率转换系统。
IXFH20N100P广泛应用于高压电源转换系统,包括高压开关电源(SMPS)、太阳能逆变器、DC-AC逆变器、电机驱动器、UPS不间断电源、工业自动化设备、电池管理系统(BMS)以及高频感应加热系统等。由于其高耐压和高效率特性,该MOSFET特别适合需要高可靠性和高效率的电力电子系统。
STW20NK10Z, IRFP460LC, IXFH24N100P