时间：2025/8/6 0:50:26
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IXFH18N80P是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET晶体管，广泛用于需要高电压和大电流处理能力的电源转换应用。该器件采用TO-247封装，具有良好的热性能和高耐用性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：18A
最大漏极-源极电压：800V
最大栅极-源极电压：±30V
导通电阻：0.26Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXFH18N80P具备低导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了能效。
该MOSFET具有高耐压能力，适用于高压电源应用。
其TO-247封装提供了良好的散热性能，确保器件在高功率条件下稳定工作。
内置快速恢复二极管，有助于提高开关性能并减少开关损耗。
此外，该器件具有高可靠性和长寿命，适合工业级应用环境。
IXFH18N80P主要用于各种高功率电源转换设备，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制器和逆变器等。
它也常用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）系统以及太阳能逆变器中。
由于其优异的开关性能和耐高压能力，IXFH18N80P非常适合用于高频开关电路中，以提高整体系统效率。
在电动汽车和充电设备中，该MOSFET也可用于电源管理模块和电池充放电控制电路。
STF18N80M5, FCP18N80
