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IXFH18N100Q3 发布时间 时间:2025/8/6 12:10:28 查看 阅读:26

IXFH18N100Q3是一款由Littelfuse(前身为IXYS Corporation)制造的高电压N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高电压、高频率开关应用,具备优良的导通和开关性能,适用于如电源转换器、电机控制、照明系统以及工业自动化设备等场合。该MOSFET采用第三代技术,具备优化的动态性能和较低的导通电阻。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):1000V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):18A(在Tc=25°C时)
  功率耗散(Pd):250W
  导通电阻(Rds(on)):0.47Ω(最大值)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-247AC
  引脚数:3

特性

IXFH18N100Q3具备多项优异特性,使其在高压应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))减少了导通损耗,提高了整体效率。其次,该MOSFET采用第三代技术,优化了开关性能,降低了开关损耗,使其适用于高频开关环境。此外,该器件具备较高的栅极电荷(Qg)稳定性,确保在不同工作条件下保持良好的开关控制。
  其1000V的高漏源电压额定值使其适用于高压直流电源转换器、离线电源供应器以及高压电机驱动系统。同时,250W的最大功率耗散能力支持在高负载条件下稳定运行。TO-247AC封装形式提供了良好的热管理和机械稳定性,便于安装在散热器上以提高散热效率。
  IXFH18N100Q3还具备出色的雪崩能量耐受能力,能够在突发电压条件下提供额外的保护,提高系统的可靠性。其-55°C至150°C的工作温度范围使其适用于各种严苛环境条件下的应用。

应用

该MOSFET广泛应用于多个高电压、高频率的电力电子系统中,包括但不限于:
  ? 高压DC-DC转换器
  ? 逆变器与电机驱动系统
  ? 离线式开关电源(SMPS)
  ? 高压LED照明驱动电路
  ? 工业自动化与控制系统
  ? 太阳能逆变器及储能系统
  ? 电源管理系统(PMS)

替代型号

IXFH18N100Q2, IXFH16N100Q3, IXFH20N100Q3

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IXFH18N100Q3产品

IXFH18N100Q3参数

  • 特色产品Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs
  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C660 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)6.5V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs90nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4890pF @ 25V
  • 功率 - 最大830W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件