时间：2025/8/5 14:40:22
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IXFH1837 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高频率、高效率的功率转换应用，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和良好的热性能，适用于如电源供应器、DC-DC 转换器、电机控制和逆变器等场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：200V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：180A
导通电阻 Rds(on)：典型值 3.7mΩ @ Vgs=10V
功耗（Pd）：400W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247AC
引脚数：3
IXFH1837 具备出色的导通和开关性能，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高系统效率。
采用先进的沟槽栅技术，提供优异的开关速度和稳定性，适合高频应用。
该器件的 TO-247AC 封装具备良好的散热性能，能够在高功率环境下稳定工作。
此外，其高耐压特性（200V）使其适用于各种中高功率的 DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）和工业电机驱动系统。
IXFH1837 还具备良好的抗雪崩能力和过热稳定性，提高了整体系统的可靠性。
在设计中，该 MOSFET 可有效减少并联器件数量，简化电路设计并降低成本。
IXFH1837 主要用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中，如服务器电源、通信电源、工业电源、DC-DC 转换器、逆变器、不间断电源（UPS）、电机控制以及太阳能逆变器等。
由于其高频性能优异，常被用于高频开关电源的设计中，以提高效率并减小磁性元件的体积。
同时，其高耐压和大电流能力也使其在电动汽车（EV）充电系统、储能系统和工业自动化控制中得到广泛应用。
IXFH1837P, IXFH180N20T, IXFH180N20D1
