时间：2025/8/6 1:46:09
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IXFH180N20X3 是一款由 Littelfuse（原 IXYS）生产的高性能功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用了先进的沟道技术和优化的封装设计，适用于高电流、高频率和高温环境下运行的电力电子系统。IXFH180N20X3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻、高功率密度和优异的热管理性能，使其成为工业电源、电动车辆、可再生能源系统和电机控制等应用的理想选择。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：200V
漏极电流（Id）：180A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：1.75mΩ（最大）
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263（表面贴装）
功耗（Pd）：350W
漏极-源极击穿电压：200V
阈值电压（Vgs(th)）：4.5V（典型）
IXFH180N20X3 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为1.75mΩ，这显著降低了导通损耗并提高了系统的整体效率。该MOSFET采用先进的硅芯片技术和优化的封装设计，确保在高电流和高温条件下仍能保持稳定性能。
此外，该器件具有较高的热稳定性和耐用性，可在高达175°C的结温下正常运行，适用于严苛的工业环境。其封装形式为TO-263，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和高密度PCB布局。
IXFH180N20X3 还具备良好的开关性能，能够在高频条件下快速导通和关断，从而减少开关损耗并提升系统响应速度。同时，该器件具备良好的短路耐受能力，提高了系统的可靠性和安全性。
在驱动能力方面，IXFH180N20X3 可以接受高达±20V的栅极电压，确保在各种驱动条件下都能保持稳定的性能。其阈值电压为4.5V左右，适用于常见的逻辑电平驱动器。
IXFH180N20X3 广泛应用于需要高电流、高效率和高可靠性的电力电子系统中。常见的应用包括电动车辆的电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器、电机控制器、不间断电源（UPS）、工业自动化设备和太阳能逆变器等。
在电动汽车中，该MOSFET可用于高压电池组的充放电控制，以及电机驱动系统中的功率开关，确保高效率和长续航能力。在工业电源系统中，IXFH180N20X3 可用于构建高功率密度的DC-DC转换器和整流器模块。
此外，在可再生能源领域，该器件适用于太阳能逆变器中的功率开关，帮助提高能量转换效率并减少系统损耗。其优异的热管理和高频开关能力也使其成为高频开关电源和电机控制系统的理想选择。
IXFH180N20P3, IXYS IXFH180N20X2, IXYS IXFH180N20T1
