时间：2025/8/5 21:26:51
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IXFH17N65是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于电源转换器、逆变器和电机控制等高功率应用中。IXFH17N65采用了先进的平面技术，提供了卓越的导通和开关性能。该MOSFET具有高耐压能力，最大漏-源电压（Vds）为650V，适用于高电压应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏-源电压（Vds）：650V
最大栅-源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：17A
工作温度范围：-55°C至150°C
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.38Ω
封装类型：TO-247
功耗（Pd）：200W
IXFH17N65具有多个显著特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高效率。其次，该器件具有高耐压能力，最大漏-源电压（Vds）为650V，能够承受高电压应力，适用于高电压应用。此外，IXFH17N65采用了先进的平面技术，提供了卓越的开关性能，减少了开关损耗。该MOSFET还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。最后，IXFH17N65的封装类型为TO-247，便于安装和散热。
IXFH17N65广泛应用于各种高功率电子设备中，包括电源转换器、逆变器、电机控制器和工业自动化系统。在电源转换器中，IXFH17N65可用于DC-DC转换器和AC-DC转换器，提供高效的能量转换。在逆变器中，该MOSFET可用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。在电机控制中，IXFH17N65可用于调节电机速度和扭矩，提高电机效率。此外，该MOSFET还可用于工业自动化系统中的功率控制和负载管理。
IXFH17N65可以被IXFH20N65、IXFH24N65、IXFH30N65等型号替代。
