时间：2025/8/6 12:24:51
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IXFH16N120P是一款由IXYS公司制造的功率场效应晶体管（MOSFET），专为高电压和高电流应用设计。这款MOSFET具有1200V的漏源电压（VDS）和16A的连续漏极电流（ID），非常适合用于高功率电子设备中。其设计旨在提供高效能和高可靠性，适用于如电源转换、电机控制和工业自动化等应用。
类型: N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）: 1200V
连续漏极电流（ID）: 16A
导通电阻（RDS(on)）: 通常为0.47Ω
最大功率耗散（PD）: 200W
工作温度范围: -55°C至150°C
封装类型: TO-247AC
IXFH16N120P MOSFET具有一系列特性，使其适合高功率应用。首先，其高漏源电压和连续漏极电流能力使其适合用于高压和高电流环境。其次，其低导通电阻确保了在导通状态下的高效能，减少了功率损耗和热量产生。此外，该器件的封装设计有利于散热，有助于保持器件在高功率操作时的稳定性能。其广泛的工作温度范围也使其能够在各种环境条件下可靠运行。
IXFH16N120P MOSFET常见于需要高电压和高电流能力的电路中。主要应用包括但不限于开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、焊接设备和工业控制系统。其高可靠性和高效能也使其成为太阳能逆变器和电动汽车充电设备中的优选器件。
IXFH16N120Q, IXFH16N120T
